A finales de abril de 2026, las acciones taiwanesas de memoria y las relacionadas con HBM explotaron colectivamente; Nanya Ke (2408) entró en la cadena de suministro de los aceleradores de NVIDIA Vera Rubin, el precio de la acción encendió las luces y subió hasta el límite diario, impulsando que Google Trends en Taiwán mostrara el ascenso en cadena de “2408”, “memoria de ancho de banda alto”, “Gf119”, “GIS” y “華邦電”. Este artículo organiza los impulsores centrales del alza de HBM/DRAM en esta ronda y las rutas específicas de beneficio para cada empresa taiwanesa, para que los lectores comprendan de una sola vez la posición en la cadena de suministro.
Lógica central: los servidores de IA consumen el 66% de la capacidad mundial de DRAM
Este impulso proviene de la demanda explosiva de aceleradores de IA por HBM (memoria de alto ancho de banda). HBM utiliza encapsulado apilado de DRAM, y su capacidad y ancho de banda por chip son muy superiores a los de la DDR5 tradicional; es un componente estándar de aceleradores como NVIDIA H100/H200/Blackwell/Vera Rubin. Después de que los servidores de IA consumieran aproximadamente el 66% de la capacidad mundial de DRAM, tanto DDR5 como LPDDR y DRAM de nicho entraron por completo en una escasez estructural; esta es también la razón fundamental por la que los precios de la memoria de consumo suben en contra de la tendencia.
Nanya Ke (2408): DRAM estándar y entrada reciente en la cadena de suministro de Vera Rubin
Nanya Ke se enfoca en DRAM estándar; a finales de abril de 2026 se informó que ingresó en la cadena de suministro de la próxima plataforma Vera Rubin de NVIDIA, convirtiéndose en la primera empresa taiwanesa en incorporarse. Los analistas de sociedades de inversión estiman que el EPS de 2026 se triplicará por 9 veces hasta el rango de 21 yuanes, y en 2027 será 17 yuanes, reflejando la elasticidad de ganancias que arrastra la cadena de IA. El progreso de producción en serie del proceso de 10 nanómetros (1B) es un punto a observar: si podrá entrar en el mercado masivo de DDR5 determinará la fuerza de fijación de precios futura.
Winbond (2344): DRAM de nicho + LPDDR de IA en el borde
La estructura de productos de Winbond se inclina hacia la memoria de nicho (Specialty DRAM) y NOR Flash, y se enfoca en aplicaciones para automoción, control industrial e IoT. El beneficio en esta ronda proviene de los requisitos de PCs de IA y teléfonos móviles de alto rendimiento y bajo consumo; Winbond está aumentando su penetración en dispositivos de IA en el borde. El mercado la ve como un valor secundario “que no consume HBM directamente, pero que es impulsado por el efecto de desplazamiento”.
Fabricantes de módulos: A-Data (3260), TeamGroup (4967), Transcend, ADATA
Los fabricantes de módulos tienen una proporción extremadamente alta en aplicaciones de gama alta para gaming, servidores y almacenamiento empresarial. Cuando los fabricantes originales (Nanya Ke, Micron, SK Hynix, Samsung) priorizan convertir capacidad a HBM, aumenta la presión de costos para que los módulos obtengan chips estándar de DRAM; sin embargo, se refleja en que el incremento en el precio de venta ocurre más rápido y la expansión del margen bruto. A-Data y TeamGroup continúan aumentando el peso de ingresos en módulos de gama alta para gaming en el trimestre.
Upstream de obleas de silicio: GlobalWafers (中美晶), PwerChip (合晶)
La expansión de HBM y DRAM requiere obleas de silicio de 12 pulgadas. Después de que Nanya Ke ingrese en Vera Rubin de NVIDIA, GlobalWafers (5483) y PwerChip (6182) como proveedores de obleas de silicio se benefician al mismo tiempo desde la cadena. Las características de esta cadena son “inicio de Capex → aumento de la demanda de obleas → capacidad ajustada y escasa”, y el impulso operativo de PwerChip en este trimestre se está calentando de forma evidente.
Puntos a observar en SK Hynix y Samsung
Entre los tres grandes de DRAM en Corea del Sur, SK Hynix debido a que emitirá en 2026 una bonificación de alrededor de 30 millones de TWD por persona, lo que refleja la fuerza de su flujo de caja al convertir IA en efectivo; en comparación, el mes pasado volvió a trascender la noticia de una huelga de fábricas en Samsung (Google Trends 4/27 muestra “huelga de Samsung” como búsqueda), la dinámica interna de la mano de obra de las dos grandes empresas coreanas impactará directamente el ritmo de suministro global de HBM y DDR5, y de forma indirecta aumentará el espacio para que las empresas taiwanesas ocupen vacantes.
No es una burbuja: el ciclo económico y la demanda estructural de IA coexisten
La memoria es, en esencia, una acción altamente cíclica; pero la diferencia de esta ronda frente a 2017 y 2021 es que “la demanda estructural de IA” y “el efecto de desplazamiento de DRAM” operan simultáneamente en dos ejes. El siguiente punto a observar es el reporte financiero Q1 26 de SK Hynix, Micron y Samsung (se publicará a principios de mayo), y si el calendario real de ramp-up de Vera Rubin de NVIDIA se mantiene hasta la primera mitad de 2027. Para las empresas taiwanesas, la elevada temperatura al menos seguirá hasta el tercer trimestre para tener una validación clara/señales de retroceso.
Esta nota sobre la explosión masiva de la cadena HBM: Nanya Ke, Winbond, TeamGroup, A-Data y GlobalWafers analizados con toda la energía, aparece por primera vez en 鏈新聞 ABMedia.
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