金十數據2月20日訊,記者從杭州光學精密機械研究所獲悉,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優於50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平。
富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平
金十數據2月20日訊,記者從杭州光學精密機械研究所獲悉,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優於50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平。